相关证件: 
会员类型:
会员年限:8年
类型:绕线 材料 - 磁芯:羰基粉 电感:56μH 电流 - 饱和值:9A DC 电阻(DCR):62 毫欧 大小/尺寸:0.666" 长 x 0.666" 宽(16.90mm x 16.90mm)
发布询价放大器类型:仪表 压摆率:50 V/μs -3db 带宽:3.5MHz 电流 - 输入偏置:200nA 电流 - 输出/通道:30mA 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
发布询价二极管配置:1 对共阳极 电压 - DC 反向(Vr)(值):40V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:900mV @ 100mA 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 30V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
发布询价压摆率:22 V/μs -3db 带宽:15MHz 电流 - 输入偏置:300nA 电流 - 电源:6.7mA 电流 - 输出/通道:35mA 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
发布询价类型:DC DC 稳压器 拓扑:切换式电容器(充电泵) 电压 - 供电():3v 电流 - 输出/通道:30mA 封装/外壳:16-WQFN 裸露焊盘
发布询价FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):53A 不同 Id 时的 Vgs(th)(值):4V @ 250μA 功率 - 值:460W 封装/外壳:ISOTOP
发布询价建立时间:250μs(标准) 输出类型:Current - Unbuffered 电压 - 电源,模拟:5v INL/DNL(LSB):±0.5(),±1() 封装/外壳:28-DIP(0.600",15.24mm)
发布询价输出类型:满摆幅 增益带宽积:5MHz 电流 - 输入偏置:300nA 电流 - 电源:3.75mA 电压 - 电源,单/双(±):4.5 V ~ 12 V,±2.25 V ~ 6 V 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
发布询价高度 - 总:0.200"(5.08 mm) 长度 - 总:1.500"(38.10mm) 宽度 - 总:2.000"(50.80mm) 通风:通风孔,按样式排列
发布询价格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:16K(1K x 16) 速度:2MHz,3MHz 电压 - 电源:2.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
发布询价应用:驱动器 -3db 带宽:430MHz 电流 - 电源:46mA 电流 - 输出/通道:130mA 封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
发布询价输出隔离:隔离 电压 - 击穿:700v 电压 - 电源(Vcc/Vdd):6.5v~30v 频率 - 开关:420Hz ~ 115kHz 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)7 引线
发布询价变压器类型:数据/音频耦合 电感:120μH 安装类型:表面贴装 大小/尺寸:7.10mm 长 x 5.20mm 宽 高度 - 安装(值):3.50mm
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