相关证件: 
会员类型:
会员年限:8年
类型:多压监控器 输出:开路漏极或开路集电极 电压 - 阈值:可调节/可选择 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
发布询价电阻(欧姆):1.69 功率(W):2w 特性:汽车级 AEC-Q200 温度系数:±100ppm/°C 封装/外壳:宽 2512(6432 公制),1225
发布询价频率:32.768kHz 输出:LVCMOS 电压 - 电源:1.5 V ~ 3.63 V 频率稳定度:±100ppm 封装/外壳:4-SMD,无引线(DFN,LCC)
发布询价接口:主机接口,McBSP 时钟速率:100MHz 非易失性存储器:ROM(8 kB) 电压 - 内核:1.80V 封装/外壳:144-LFBGA
发布询价格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH - NOR 存储容量:1G(128M x 8) 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 封装/外壳:24-TBGA
发布询价开关类型:通用 比率 - 输入:输出:1:1 电压 - 负载:1.6 V ~ 5.5 V 导通电阻(典型值):40 毫欧 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
发布询价LAB/CLB 数:858 逻辑元件/单元数:6864 总 RAM 位数:245760 电压 - 电源:2.375 V ~ 3.465 V 封装/外壳:256-LFBGA
发布询价放大器类型:电流反馈 压摆率:2000 V/μs -3db 带宽:100MHz 电流 - 电源:7.5mA 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm)
发布询价输出类型:晶体管驱动器 电压 - 电源(Vcc/Vdd):5.5 V ~ 65 V 频率 - 开关:200kHz,480kHz 封装/外壳:20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)裸焊盘
发布询价格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:512K(64K x 8) 速度:5MHz,10MHz,20MHz 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
发布询价处理器:ARM® Cortex®-M0+ 连接性:I2C,SPI,UART/USART 外设:欠压检测/复位,POR,WDT 电压 - 电源(Vcc/Vdd):1.62 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 14x12b,D/A 1x10b 封装/外壳:48-TQFP
发布询价变压器类型:隔离和数据接口(封装式) 匝数比 - 初级:次级:1CT:1CT 大小/尺寸:15.24mm 长 x 13.64mm 宽 高度 - 安装(值):5.97mm
发布询价二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(值):600v 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 4A 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 封装/外壳:TO-277,3-PowerDFN 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C
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