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会员类型:
会员年限:8年
电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比(值):20% @ 10mA 打开 / 关闭时间(典型值):2μs,2μs 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.18V
发布询价驱动配置:半桥 通道类型:独立式 栅极类型:N 沟道 MOSFET 逻辑电压 - VIL,VIH:2.3V, 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1A,1A 上升/下降时间(典型值):990ns,715ns
发布询价类型:总线开关 电路:1x1;1 电压源:单电源 电压 - 电源:2.3 V ~ 3.6 V 封装/外壳:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
发布询价稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:3.3V 电流 - 输出:500mA 电压 - 跌落(典型值):0.235V @ 500mA 电压 - 输入:3.77 V ~ 10 V 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
发布询价电路:SPST-NO 不同电压时的触头额定电流:0.05A @ 16VDC PCB 外致动器高度(从引脚计算):2.50mm 端子类型:J 引线 开关行程:0.15mm 工作温度:-40°C ~ 85°C
发布询价零件状态:Last Time Buy 电压 - 值:8V 电流 - 值:100A 电流 - 保持(Ih)(值):2A 电流 - 跳闸(It):3.5A R(/值):0.020 ~ 0.070 欧姆 封装/外壳:1812(4532 公制),凹陷
发布询价透镜颜色:黄 透镜透明度:散射 毫烛光等级:147.5mcd 电压 - 正向(Vf)(典型值):2.85V 波长 - 主:8200K 封装/外壳:0603(1608 公制)
发布询价放大器类型:J-FET 压摆率:13 V/μs 电流 - 输入偏置:65pA 电流 - 电源:1.4mA 封装/外壳:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
发布询价格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K(64 x 16) 接口:Microwire 3 线串行 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
发布询价放大器类型:通用 增益带宽积:700kHz 电流 - 电源:320μA 电压 - 电源,单/双(±):电压 - 电源,单/双(±) 封装/外壳:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
发布询价输出类型:晶体管驱动器 输出配置:正,可提供隔离 电压 - 电源(Vcc/Vdd):7.6 V ~ 30 V 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
发布询价处理器:ARM® Cortex®-M0 连接性:HDMI-CEC,I2C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART 程序存储容量:32KB(32K x 8) 电压 - 电源(Vcc/Vdd):2 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 13x12b,D/A 1x12b
发布询价格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH - NOR 存储容量:4M(512K x 8) 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 封装/外壳:32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
发布询价滤波器阶数:3rd 中心/截止频率:150MHz(截止值) 数值:L = 115nH,C = 22pF 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:0402(1005 公制),4 PC 板
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