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会员类型:
会员年限:8年
格式 - 存储器:山村 存储器类型:FLASH - NOR 存储容量:8M(1M x 8) 电压 - 电源:2.3 V ~ 3.6 V 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
发布询价类型:隔离模块 电压 - 输入(值):10.8V 电压 - 输入(值):13.2V 电流 - 输出(值):83mA 电压 - 隔离:1.5kV(1500V) 封装/外壳:4-SIP 模块
发布询价电压 - 值:15V 电流 - 值:100A 电流 - 保持(Ih)(值):100mA 电流 - 跳闸(It):300mA 封装/外壳:0805(2012 公制),凹陷
发布询价处理器:ARM® Cortex®-M3 连接性:I2C,LIN,SPI,UART/USART,USB 程序存储容量:256KB(256K x 8) 程序存储器类型:闪存 电压 - 电源(Vcc/Vdd):1.71 V ~ 5.5 V 封装/外壳:100-LQFP
发布询价处理器:XCore 尺寸:32 位 16 核 程序存储器类型:ROMless RAM 容量:512K x 8 封装/外壳:128-TQFP 裸露焊盘
发布询价使用:片状 形状:方形 外形:150.00mm x 150.00mm 厚度:0.019"(0.500mm) 材料:硅树脂人造橡胶 导热率:4.0 W/m-K
发布询价类型:总线开关 电压源:单电源 电压 - 电源:2.3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:80-FSOP(0.154",3.90mm 宽)
发布询价类型:非隔离 PoL 模块 电压 - 输入(值):5.5V 功率(W) - 制造系列:3W 特性:OCP,UVLO 封装/外壳:9-SMD 模块 工作温度:-30°C ~ 85°C
发布询价处理器:HC08 外设:LVD,POR,PWM 程序存储容量:8KB(8K x 8) 电压 - 电源(Vcc/Vdd):4.5 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 7x10b 封装/外壳:32-LQFP
发布询价晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(值):500mA 电压 - 集射极击穿(值):300V 电流 - 集电极截止(值):250nA(ICBO) 功率 - 值:625mW 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
发布询价功能:降压 输出配置:正 输出类型:可调式 电压 - 输入(值):6V 封装/外壳:10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽)裸焊盘
发布询价FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):50A(Tc) 功率 - 值:48W 封装/外壳:PowerPAK® SO-8
发布询价转换器类型:电压电平 电压 - VCCA:1.2 V ~ 3.6 V 输出类型:三态,非反相 数据速率:380Mbps 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TFSOP(0.173",4.40mm 宽)
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