相关证件：
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会员年限：8年
林泽祥 
电话：0755-82522624
手机：15875438990
林少如
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手机：13603052721
类型:收发器 驱动器/接收器数:1/1 电压 - 电源:1.8V，2.5V，3.3V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:24-VFQFN 裸露焊盘
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类型:收发器 接收器滞后:500mV 数据速率:460Kbps 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳:10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
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配置:电位 抽头数:256 存储器类型:非易失 电压 - 电源:2.7 V ~ 5.5 V 温度系数（典型值）:132 ppm/°C 封装/外壳:16-WFQFN 裸露焊盘
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稳压器拓扑:正，固定式 电压 - 输出:1.8V 电压 - 跌落（典型值）:0.34V @ 1.5A 电压 - 输入: 20V 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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驱动配置:半桥 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:8 V ~ 17 V 逻辑电压 - VIL，VIH:1.3V，2.8V 高压侧电压 - 值（自举）:120V 上升/下降时间（典型值）:7.2ns，5.5ns 封装/外壳:8-PowerSOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:128K（16K x 8） 速度:10MHz 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V 封装/外壳:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
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触摸面板接口:4 线，5 线，8 线 输入/按键数:1 TSC 分辨率（位）:10，12 b 数据接口:串行，UART，USB 封装/外壳:20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
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驱动配置:低压侧 栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET 电压 - 电源:4 V ~ 15 V 逻辑电压 - VIL，VIH:1.1V，2.7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:9A，9A 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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电压 - 输入（值）:4.5V 电压 - 输入（值）:42V 电压 - 输出（值/固定）:0.9V 电压 - 输出（值）:37.8V 频率 - 开关:100kHz ~ 2.2MHz 封装/外壳:20-WFQFN 裸露焊盘
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电压 - 反向关态（典型值）:5.5V（） 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:2A（8/20μs） 电源线路保护:无 封装/外壳:5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
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电压 - 输入（值）:2.5v 电压 - 输入（值）:6v 电压 - 输出（值/固定）:0.75v 电压 - 输出（值）:6v 封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘
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配置:7段 + DP，14段 + DP + AP，点阵 接口:I2C，2 线串口 数字或字符:30 字符，60 字符，480 元件 电流 - 电源:250μA 封装/外壳:80-LQFP
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输出隔离:隔离 电压 - 启动:22V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:15 V ~ 38 V 频率 - 开关:250kHz 功率（W）:250W 封装/外壳:16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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电路:SPST-NO 开关功能:关-瞬时 致动器类型:矩形按钮 致动器方向:顶部触动 照明电压（标称值）:2.3 VDC 致动器材料:液晶聚合物（LCP）
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技术:容性耦合 输入 - 输入侧 1/输入侧 2:1/1 电压 - 隔离:3750Vrms 共模瞬态抗扰度（值）:35kV/μs 数据速率:150Mbps 上升/下降时间（典型值）:2.5ns，2.5ns 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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