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会员类型:
会员年限:8年
类型:时钟/日历 特性:警报器,闰年,方波输出,SRAM, ID 时间格式:HH:MM:SS(12/24 小时) 电压 - 电源,电池:1.3 V ~ 5.5 V 电流 - 计时():1.2μA(标准) @ 3.3V 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V
发布询价零件状态:有效 逻辑类型:入射波切换式总线收发器 电源电压:4.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳:48-TFSOP(0.240",6.10mm 宽) 工作温度:-40°C ~ 85°C
发布询价I/O 数:40 接口:I2C 特性:POR 电流 - 灌/拉输出:10mA,25mA 电压 - 电源:2.3 V ~ 5.5 V 封装/外壳:56-TFSOP(0.240",6.10mm 宽)
发布询价驱动配置:低压侧 栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET 逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2V 电压 - 电源:5 V ~ 35 V 上升/下降时间(典型值):25ns,25ns 封装/外壳:16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
发布询价晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 电压 - 测试:3V 额定电流:120mA 电流 - 测试:60mA 电压 - 额定:5v 封装/外壳:SC-82A,SOT-343
发布询价电路:SPST-NO(1 A 形) 导通电阻(值):250 毫欧 电压 - 输入:1.3VDC 封装/外壳:6-SMD(0.300",7.62mm)
发布询价处理器:ARM® Cortex®-M3 连接性:I2C,LIN,SPI,UART/USART,USB 程序存储容量:128KB(128K x 8) EEPROM 容量:2K x 8 封装/外壳:68-VFQFN 裸露焊盘
发布询价压摆率:20 V/μs -3db 带宽:10MHz 电流 - 电源:4.6mA 电压 - 电源,单/双(±):±5 V ~ 15 V 封装/外壳:10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
发布询价继电器类型:舌簧 触头外形:DPST(2 A 型) 开关电压:200VAC,200VDC - 关闭电压(值):3.6 VDC 导通电压(值):16.8 VDC 工作温度:-40°C ~ 85°C
发布询价比率 - 输入:输出:1;1 电压 - 负载:2.5 V ~ 5.5 V 电压 - 电源(Vcc/Vdd):不需要 电流 - 输出(值):500mA 导通电阻(典型值):170 毫欧 封装/外壳:SC-74A,SOT-753
发布询价输入:时钟 比率 - 输入:输出:1:1 频率 - 值:12.5GHz 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V 封装/外壳:40-VFQFN 裸露焊盘
发布询价栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET 电压 - 电源:4.5 V ~ 18 V 逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):4.5A,4.5A 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘
发布询价比率 - 输入:输出:1:1 差分 - 输入:输出:无/无 频率 - 值:10.8GHz 电压 - 电源:2.7 V ~ 5.25 V 封装/外壳:40-VFQFN 裸露焊盘
发布询价类型:TxRx + MCU 射频系列/标准:通用 ISM > 1GHZ 调制:DSSS,GFSK 数据速率(值):1Mbps 功率 - 输出:4dBm 电压 - 电源:1.8 V ~ 3.6 V 电流 - 接收:18.4mA ~ 21.2mA 封装/外壳:40-VFQFN 裸露焊盘
发布询价处理器:ARM® Cortex®-M0+ 连接性:I2C,LIN,SPI,UART/USART 程序存储容量:256KB(256K x 8) 数据转换器:A/D 10x12b,D/A 1x10b 供应商器件封装:32-QFN(5x5)
发布询价