相关证件: 
会员类型:
会员年限:8年
电阻(欧姆):4.75k 功率(W):0.75W,3/4W 特性:汽车级 AEC-Q200 封装/外壳:2010(5025 公制)
发布询价电压 - 集射极击穿(值):35v 电流 - 暗(Id)(值):50nA 功率 - 值:165mW 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,Boomerang
发布询价保险丝类型:板安装(不包括管筒式) 额定电压 - AC:125V 封装/外壳:2-SMD,方形端块,带支座 不同额定电压时的熔断能力:50A 大小/尺寸:0.383" 长 x 0.198" 宽 x 0.150" 高(9.73mm x 5.03mm x 3.81mm)
发布询价输入类型:个伪差分,单端 配置:S/H-ADC 无线电 - S/H:ADC:1:1 电压 - 电源,模拟:4.5 V ~ 8 V 封装/外壳:20-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
发布询价处理器:AVR 连接性:SPI,UART/USART 程序存储容量:128KB(64K x 16) EEPROM 容量:2K x 8 电压 - 电源(Vcc/Vdd):1.6 V ~ 3.6 V 封装/外壳:44-TQFP
发布询价转换器类型:电压电平 电压 - VCCA:1.2 V ~ 3.6 V 电压 - VCCB:1.2 V ~ 3.6 V 输出类型:三态,非反相 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
发布询价放大器类型:J-FET 压摆率:170 V/μs 增益带宽积:79.9MHz 电流 - 输入偏置:1pA 电压 - 输入失调:120μV 电流 - 电源:7mA 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
发布询价晶体管类型:NPN,PNP 电压 - 集射极击穿(值):120V 电流 - 集电极截止(值):100nA(ICBO) 功率 - 值:510mW 频率 - 跃迁:120MHz 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘
发布询价应用:控制器,主动电池平衡 电压 - 输入:10 V ~ 56 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:28-SOIC(0.173",4.40mm 宽)裸露焊盘
发布询价输出隔离:隔离 电压 - 启动:18v 电压 - 电源(Vcc/Vdd):8.8 V ~ 28 V 频率 - 开关:65kHz 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm)
发布询价应用:转换器,TFT LCD 电压 - 输入:1.5 V ~ 4.6 V 电压 - 输出:5.1V,-5V,±10V,±15V 封装/外壳:16-WFQFN 裸露焊盘
发布询价二极管配置:1 对共阴极 电压 - DC 反向(Vr)(值):600V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):2.1V @ 15A 反向恢复时间(trr):40ns 封装/外壳:TO-247-3
发布询价格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH - NOR 存储容量:1M(128K x 8) 电压 - 电源:1.65 V ~ 3.6 V 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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