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林泽祥 
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手机：15875438990
林少如
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类型:收发器 驱动器/接收器数:2/2 接收器滞后:300mV 电压 - 电源:3 V ~ 5.5 V 封装/外壳:16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
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二极管类型:标准 电流 - 平均整流（Io）:15A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:2.5V @ 15A 反向恢复时间（trr）:260ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:250μA @ 1200V 封装/外壳:TO-247-2
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材料 - 磁芯:铁氧体 电流 - 饱和值:2A DC 电阻（DCR）:80 毫欧 不同频率时的 Q 值:23 @ 7.96MHz 工作温度 :-40°C ~ 125°C
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类型:扇出缓冲器（分配），除法器，多路复用器 比率 - 输入:输出:1:2 输入:CML，HSTL，LVCMOS，LVDS，LVTTL，PECL 电压 - 电源:2.375 V ~ 3.63 V 封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘
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电容:22μF 额定电压:6.3V 工作温度:-55°C ~ 105°C 高度 - 安装（值）:0.075"（1.90mm） 封装/外壳:2917（7343 公制）
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二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（值:20v 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:450mV @ 1A 反向恢复时间（trr）:6ns 封装/外壳:SC-90，SOD-323F
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建立时间:10μs 输出类型:Voltage - Buffered 数据接口:SPI 电压 - 电源，模拟:2.7 V ~ 5.25 V 封装/外壳:14-DIP（0.300"，7.62mm）
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FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 漏源极电压（Vdss）:200V 不同 Id 时的 Vgs（th）（值）:4V @ 250μA 功率 - 值:2.5W 封装/外壳:8-MLP，Power56
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FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Tc） 功率 - 值:219W 封装/外壳:TO-247-3
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通道类型:单路 电压 - 电源:4.5 V ~ 18 V 栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V，2.4V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
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电容:0.68μF 额定电压 - AC:275V 介电材料:聚丙烯（PP），金属化 封装/外壳:径向 引线间距:1.083"（27.50mm）
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类型:抖动消除器 输出:CML，LVCMOS，LVDS，LVPECL 比率 - 输入:输出:2：2 频率 - 值:711MHz 电压 - 电源:1.71 V ~ 3.63 V 封装/外壳:36-VFQFN 裸露焊盘
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电阻（欧姆）:0.001 功率（W）:2W 特性:汽车级 AEC-Q200，电流检测，防潮 温度系数:±100ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 170°C
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稳压器拓扑:正，固定式 电压 - 输出:3.3V 电流 - 输出:500mA 电压 - 跌落（典型值）:0.95V @ 500mA 电压 - 输入: 6.5V 封装/外壳:6-WFDFN 裸露焊盘
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连接器类型:插座，母形插口 连接器样式:a22 连接器用途:紧凑型PCI J1/J4 触头镀层厚度:30μin（0.76μm） 额定电压:500V
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