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会员类型:
会员年限:8年
电压 - 反向关态(典型值):23.1V 电压 - 击穿(值):25.7V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):40.5A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 封装/外壳DO-214AB,SMC:DO-214AB,SMC
发布询价滤波器类型:巴特沃斯,低通开关电容器 频率 - 截止或中心:50kHz 滤波器阶数:5th 电压 - 电源:±2.37 V ~ 8 V 封装/外壳:16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
发布询价建立时间:800ns 输出类型:Current - Unbuffered 电压 - 电源,模拟:5 V ~ 15 V 封装/外壳:16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
发布询价驱动配置:高压侧或低压侧 栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET 电压 - 电源:4.5 V ~ 30 V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
发布询价类型:多压监控器 输出:开路漏极或开路集电极 电压 - 阈值:可调节/可选择 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
发布询价电阻(欧姆):1.69 功率(W):2w 特性:汽车级 AEC-Q200 温度系数:±100ppm/°C 封装/外壳:宽 2512(6432 公制),1225
发布询价频率:32.768kHz 输出:LVCMOS 电压 - 电源:1.5 V ~ 3.63 V 频率稳定度:±100ppm 封装/外壳:4-SMD,无引线(DFN,LCC)
发布询价接口:主机接口,McBSP 时钟速率:100MHz 非易失性存储器:ROM(8 kB) 电压 - 内核:1.80V 封装/外壳:144-LFBGA
发布询价格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH - NOR 存储容量:1G(128M x 8) 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 封装/外壳:24-TBGA
发布询价开关类型:通用 比率 - 输入:输出:1:1 电压 - 负载:1.6 V ~ 5.5 V 导通电阻(典型值):40 毫欧 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
发布询价LAB/CLB 数:858 逻辑元件/单元数:6864 总 RAM 位数:245760 电压 - 电源:2.375 V ~ 3.465 V 封装/外壳:256-LFBGA
发布询价放大器类型:电流反馈 压摆率:2000 V/μs -3db 带宽:100MHz 电流 - 电源:7.5mA 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm)
发布询价输出类型:晶体管驱动器 电压 - 电源(Vcc/Vdd):5.5 V ~ 65 V 频率 - 开关:200kHz,480kHz 封装/外壳:20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)裸焊盘
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