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林泽祥 
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手机：15875438990
林少如
电话：0755-89698136
手机：13603052721
电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（值）:2.5mW/sr @ 20mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.3v 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
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建立时间:16μs（标准） 输出类型:Voltage - Buffered 数据接口:SPI 电压 - 电源，数字:5V 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
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容差:±1% 特性:汽车级 AEC-Q200 温度系数:±100ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 155°C 封装/外壳:2512（6432 公制）
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类型:DC DC 稳压器 电压 - 供电（）:2.7V 电压 - 供电（）:16V 电流 - 输出/通道:225mA（开关） 频率:1.2MHz 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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采样率（每秒）:250k 数据接口:SPI，并联，DSP 配置:S/H-ADC 无线电 - S/H:ADC:1：1 电压 - 电源，模拟:5V 工作温度:-40°C ~ 125°C
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稳压器拓扑:正，可调式 电压 - 输出:1.22 V ~ 60 V 电压 - 跌落（典型值）:0.35V @ 20mA 电压 - 输入:3 V ~ 80 V 封装/外壳:SOT-23-5 细型，TSOT-23-5
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稳压器拓扑:正，调式 电压 - 输出:1.22 V ~ 20 V 电流 - 输出:100mA 封装/外壳:10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸焊盘
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稳压器拓扑:正，固定式 电流 - 输出:100mA 电流 - 限制（值）:150mA 封装/外壳:SC-74A，SOT-753
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电压 - 隔离:5300Vrms 共模瞬态抗扰度（值:25kV/μs 脉宽失真（）:200ns 上升/下降时间（典型值:100ns，100ns 电流 - DC 正向（If）:25mA 电压 - 电源:15 V ~ 32 V 封装/外壳:8-SMD（300 密耳）
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配置:电位计 抽头数:256 存储器类型:非易失 电压 - 电源:2.7 V ~ 5.25 V 封装/外壳:14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
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FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 漏源极电压（Vdss）:150V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180A（Tc） 不同 Id 时的 Vgs（th）（值）:5V @ 4mA 功率 - 值:830W 封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA
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电压 - 输入（值）:3.6V 电压 - 输入（值）:36V 电压 - 输出（值/固定）:1.245V 电流 - 输出:600mA 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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通道类型:单向 电压 - 隔离:3750Vrms 共模瞬态抗扰度（值）:25kV/μs 传播延迟 tpLH / tpHL（值）:25ns，25ns 电压 - 电源:3 V ~ 5.5 V 封装/外壳:20-SSOP（0.209"，5.30mm 宽）
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功能:主复位 输出类型:非反向 电流 - 输出高，低:24mA，24mA 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-55°C ~ 125°C（TA）
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处理器:ARM® Cortex®-M3 速度:180MHz 连接性:CAN，EBI/EMI，I2C，IrDA，Microwire，SD，SPI，SSI，SP，ART/USART，USB，SB OTG 程序存储器类型:ROMless 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:2.2 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 8x10b；D/A 1x10b 封装/外壳:144-LQFP
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