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林泽祥 
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林少如
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电阻（欧姆）:4.75k 功率（W）:0.75W，3/4W 特性:汽车级 AEC-Q200，防脉冲 温度系数:±100ppm/°C 封装/外壳:1210（3225 公制）
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建立时间:4.5μs（标准） 输出类型:Voltage - Buffered 数据接口:SPI 电压 - 电源，模拟:2.7 V ~ 5.5 V INL/DNL（LSB）:±2，±0.2 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
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配置:变阻器 电阻（欧姆）:100k 存储器类型:非易失 电压 - 电源:2.7 V ~ 5.5 V，±2.5 V ~ 2.75 V 封装/外壳:10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
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制造商:EPCOS (TDK) 匝数比 - 初级:次级:1：50 电感:500μH DC 电阻（DCR）:0.8 毫欧（初级电阻），1.5 欧姆（次级电阻） 高度 - 安装（值）:5.08mm 大小/尺寸:8.13mm 长 x 7.11mm 宽
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类型:绕线 材料 - 磁芯:羰基粉 电感:56μH 电流 - 饱和值:9A DC 电阻（DCR）:62 毫欧 大小/尺寸:0.666" 长 x 0.666" 宽（16.90mm x 16.90mm）
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放大器类型:仪表 压摆率:50 V/μs -3db 带宽:3.5MHz 电流 - 输入偏置:200nA 电流 - 输出/通道:30mA 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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二极管配置:1 对共阳极 电压 - DC 反向（Vr）（值）:40V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 100mA 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 30V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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压摆率:22 V/μs -3db 带宽:15MHz 电流 - 输入偏置:300nA 电流 - 电源:6.7mA 电流 - 输出/通道:35mA 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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类型:DC DC 稳压器 拓扑:切换式电容器（充电泵） 电压 - 供电（）:3v 电流 - 输出/通道:30mA 封装/外壳:16-WQFN 裸露焊盘
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FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:53A 不同 Id 时的 Vgs（th）（值）:4V @ 250μA 功率 - 值:460W 封装/外壳:ISOTOP
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建立时间:250μs（标准） 输出类型:Current - Unbuffered 电压 - 电源，模拟:5v INL/DNL（LSB）:±0.5（），±1（） 封装/外壳:28-DIP（0.600"，15.24mm）
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输出类型:满摆幅 增益带宽积:5MHz 电流 - 输入偏置:300nA 电流 - 电源:3.75mA 电压 - 电源，单/双（±）:4.5 V ~ 12 V，±2.25 V ~ 6 V 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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高度 - 总:0.200"（5.08 mm） 长度 - 总:1.500"（38.10mm） 宽度 - 总:2.000"（50.80mm） 通风:通风孔，按样式排列
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格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:16K（1K x 16） 速度:2MHz，3MHz 电压 - 电源:2.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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