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林泽祥 
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手机：15875438990
林少如
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驱动配置:低压侧 栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET 电压 - 电源:4.5 V ~ 35 V 上升/下降时间（典型值:25ns，18ns 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸焊盘
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逻辑类型:缓冲器，非反向 输出类型:推挽式 电流 - 输出高，低:32mA，64mA 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 封装/外壳:20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
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稳压器拓扑:正，可调式 电压 - 输出:1.2 V ~ 19.8 V 电压 - 跌落（典型值:0.2V @ 200mA 电压 - 输入:2.7 V ~ 20 V 电流 - 限制（值:250mA 封装/外壳:SOT-23-5 细型，TSOT-23-5
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滤波器类型:巴特沃斯，低通开关电容器 频率 - 截止或中心:50kHz 滤波器阶数:8th 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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电压 - 输入（值）:4.75V 电压 - 输入（值）:60V 电压 - 输出（值/固定）:12V 频率 - 开关:52kHz 封装/外壳:TO-263-6，D2Pak（5 引线+接片），TO-263BA
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逻辑类型:反相器 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 电流 - 输出高，低:2mA，2mA 逻辑电平 - 低:0.8V 封装/外壳:SC-74A，SOT-753
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稳压器拓扑:正，固定式 电压 - 输出:3.3v 电压 - 跌落（典型值）:0.25V @ 5A 电压 - 输入: 5.5V 封装/外壳:TO-263-6，D2Pak（5 引线+接片），TO-263BA
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输出类型:2 通道（立体声） 电压 - 电源:2.4 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 封装/外壳:16-WQFN 裸露焊盘
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漏源极电压（Vdss）:40v 不同 Id 时的 Vgs（th）（值）:3V @ 250μA 功率 - 值:3.1W 封装/外壳:8-PowerTDFN，5 引线
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电压 - 隔离:2500Vrms 电流传输比（值）:400% @ 1mA 上升/下降时间（典型值）:5μs，10μs 电流 - 输出/通道:40mA Vce 饱和值（值）:300mV 封装/外壳:4-SMD，扁平引线
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-3db 带宽:900MHz 电流 - 电源:62.5mA 压摆率:3000 V/μs 封装/外壳:24-WFQFN 裸露焊盘，CSP
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开关功能:关-瞬时 不同电压时的触头额定电流:0.05A @ 12VDC 安装类型:边缘安装，直角 致动器方向:侧面触动 作用力:160gf 工作温度:-40°C ~ 85°C
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稳压器拓扑:正，可调式 电压 - 输出:1.2 V ~ 5.3 V 电压 - 跌落（典型值）:0.14V @ 1A 电压 - 输入:2 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘
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电压 - 输入（值）:2.9V 电压 - 输入（值:5.5V 电压 - 输出（值）:3.3V 频率 - 开关:300kHz ~ 2MHz 封装/外壳:12-WFDFN 裸露焊盘
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栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:3.5 V ~ 14 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，5A 上升/下降时间（典型值）:14ns，12ns 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸焊盘
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