相关证件: 
会员类型:
会员年限:10年
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 漏源极电压(Vdss):100v 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Ta),43A(Tc) 功率 - 值:2.8w 不同 Id 时的 Vgs(th)(值:4V @ 250μA 封装/外壳:8-PowerWDFN
发布询价压摆率:0.4 V/μs 增益带宽积:1.3MHz 电流 - 输入偏置:20nA 电流 - 输出/通道:70mA 封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘
发布询价功能:控制器 电压 - 电源:3.3v,5v 电流 - 电源:3.9mA 封装/外壳:28-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
发布询价协议:RS422,RS485 接收器滞后:35mV 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-SOIC(0.209",5.30mm 宽)
发布询价协议:RS422,RS485 接收器滞后:15mV 数据速率:500kbps 电压 - 电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C
发布询价ESR(等效串联电阻):80 毫欧 @ 100kHz 纹波电流:552.5mA @ 120Hz 大小/尺寸:0.394" 直径(10.00mm) 高度 - 安装(值):0.413"(10.50mm) 表面贴装焊盘尺寸:0.406" 长 x 0.406" 宽(10.30mm x 10.30mm) 封装/外壳:径向,Can - SMD
发布询价驱动配置:低压侧 栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET 电压 - 电源:4.5 V ~ 18 V 逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.4V 上升/下降时间(典型值):38ns,33ns 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
发布询价类型:时钟除法器 比率 - 输入:输出:2;2 频率 - 值:235MHz 电压 - 电源:3 V ~ 5.5 V 封装/外壳:28-SSOP(0.154",3.90mm 宽)
发布询价尺寸:32位 连接性:CAN,EBI/EMI,以太网,I2C,SCI,SPI,USB 程序存储容量:512KB(512K x 8) RAM 容量:96K x 8 封装/外壳:144-LQFP
发布询价检测温度 - 本地:-40°C ~ 125°C 电压 - 电源:1.4 V ~ 3.6 V - ():±2°C(±3°C) 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
发布询价额定电压:20v ESR(等效串联电阻):14毫欧 工作温度:-55°C ~ 105°C 高度 - 安装(值):0.472"(12.00mm) 封装/外壳:径向,Can
发布询价导通电阻(值):160 欧姆 开关时间(Ton, Tof)(值):150ns,120ns 电荷注入:2.4pC 串扰:-93dB @ 100kHz 封装/外壳:16-SSOP(0.154",3.90mm 宽)
发布询价电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 电流 - 输出高,低:4mA,4mA 逻辑电平 - 高:2v 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:14-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
发布询价传感器类型:数字,本地/远程 检测温度 - 远程:-40°C ~ 125°C 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 测试条件:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:14-WFDFN 裸露焊盘
发布询价