相关证件: 
会员类型:
会员年限:8年
栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET 电压 - 电源:4.5 V ~ 18 V 逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):4.5A,4.5A 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘
发布询价比率 - 输入:输出:1:1 差分 - 输入:输出:无/无 频率 - 值:10.8GHz 电压 - 电源:2.7 V ~ 5.25 V 封装/外壳:40-VFQFN 裸露焊盘
发布询价类型:TxRx + MCU 射频系列/标准:通用 ISM > 1GHZ 调制:DSSS,GFSK 数据速率(值):1Mbps 功率 - 输出:4dBm 电压 - 电源:1.8 V ~ 3.6 V 电流 - 接收:18.4mA ~ 21.2mA 封装/外壳:40-VFQFN 裸露焊盘
发布询价处理器:ARM® Cortex®-M0+ 连接性:I2C,LIN,SPI,UART/USART 程序存储容量:256KB(256K x 8) 数据转换器:A/D 10x12b,D/A 1x10b 供应商器件封装:32-QFN(5x5)
发布询价拓扑:切换式电容器(充电泵) 电压 - 输出:4.55V 电流 - 输出/通道:25.5mA 频率:1.25MHz 封装/外壳:24-WFQFN 裸露焊盘
发布询价零件状态:有效 电压 - 工作:7V 电压 - 箝位:11.2V 技术:LED 分流器 封装/外壳:SC-79,SOD-523
发布询价晶体管类型 :4 PNP 达林顿(双) 电压 - 集射极击穿(值):120V 电流 - 集电极截止(值):100μA(ICBO) 功率 - 值:4W 封装/外壳:10-SIP
发布询价放大器类型:通用 压摆率:115 V/μs 增益带宽积:120MHz 电流 - 输出/通道:150mA 封装/外壳:SOT-23-6
发布询价类型:源极选择器开关 FET 类型:N 沟道 延迟时间 - 开启:1ms 电流 - 电源:55μA 电压 - 电源:2.8 V ~ 5.5 V 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘
发布询价零件状态:有效 输入类型:个伪差分,单端 数据接口:SPI,DSP 配置:MUX-PGA-ADC 电压 - 电源,模拟:2.7 V ~ 3.3 V,5V 封装/外壳:20-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
发布询价逻辑类型:反相器 电压 - 电源:3 V ~ 18 V 电流 - 输出高,低:4.3mA,24mA 供应商器件封装:16-TSSOP
发布询价协议:USB 功能:桥,USB 至 UART 电压 - 电源:3 V ~ 5.5 V 电流 - 电源:13mA 封装/外壳:20-SSOP(0.209",5.30mm 宽)
发布询价处理器:dsPIC 尺寸:16-位 连接性:I2C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART 程序存储容量:16KB(16K x 8) 数据转换器:A/D 16x10b,D/A 4x10b 封装/外壳:28-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
发布询价