相关证件: 
会员类型:
会员年限:8年
压摆率:0.11 V/μs 增益带宽积:350kHz 电流 - 输入偏置:150pA 电流 - 电源:260μA 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
发布询价二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(值):400v 电流 - 平均整流(Io):20A 封装/外壳:TO-220-2 整包
发布询价频率:8MHz 类型:振荡器 - 硅 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
发布询价处理器:S08 连接性:I2C,LIN,SCI,SPI 程序存储容量:16KB(16K x 8) 数据转换器:A/D 10x12b 封装/外壳:44-LQFP
发布询价类型:收发器 驱动器/接收器数:2/2 接收器滞后:300mV 电压 - 电源:3 V ~ 5.5 V 封装/外壳:16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
发布询价二极管类型:标准 电流 - 平均整流(Io):15A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):2.5V @ 15A 反向恢复时间(trr):260ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:250μA @ 1200V 封装/外壳:TO-247-2
发布询价材料 - 磁芯:铁氧体 电流 - 饱和值:2A DC 电阻(DCR):80 毫欧 不同频率时的 Q 值:23 @ 7.96MHz 工作温度 :-40°C ~ 125°C
发布询价类型:扇出缓冲器(分配),除法器,多路复用器 比率 - 输入:输出:1:2 输入:CML,HSTL,LVCMOS,LVDS,LVTTL,PECL 电压 - 电源:2.375 V ~ 3.63 V 封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘
发布询价电容:22μF 额定电压:6.3V 工作温度:-55°C ~ 105°C 高度 - 安装(值):0.075"(1.90mm) 封装/外壳:2917(7343 公制)
发布询价二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(值:20v 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):450mV @ 1A 反向恢复时间(trr):6ns 封装/外壳:SC-90,SOD-323F
发布询价建立时间:10μs 输出类型:Voltage - Buffered 数据接口:SPI 电压 - 电源,模拟:2.7 V ~ 5.25 V 封装/外壳:14-DIP(0.300",7.62mm)
发布询价FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 漏源极电压(Vdss):200V 不同 Id 时的 Vgs(th)(值):4V @ 250μA 功率 - 值:2.5W 封装/外壳:8-MLP,Power56
发布询价FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30A(Tc) 功率 - 值:219W 封装/外壳:TO-247-3
发布询价通道类型:单路 电压 - 电源:4.5 V ~ 18 V 栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET 逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.4V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
发布询价电容:0.68μF 额定电压 - AC:275V 介电材料:聚丙烯(PP),金属化 封装/外壳:径向 引线间距:1.083"(27.50mm)
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