相关证件：
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林泽祥 
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手机：15875438990
林少如
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处理器:ARM® Cortex®-M3 速度:120MHz 程序存储容量:512KB（512K x 8） RAM 容量:96K x 8 封装/外壳:208-TFBGA
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输出类型:晶体管驱动器 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:2.97 V ~ 40 V 频率 - 开关:100kHz ~ 1MHz 封装/外壳:0-TFSOP
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漏源极电压（Vdss）:30V 不同 Id 时的 Vgs（th）（值）:3V @ 250μA Vgs（值）:±25V 功率耗散（值）:940mW（Ta） 封装/外壳:8-PowerWDFN
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类型:转向装置（轨至轨） 电压 - 击穿（值）:6.9V 功率 - 峰值脉冲:63W 不同频率时的电容:0.8pF @ 1MHz 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘
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材料 - 磁芯:空气 额定电流:330mA 不同频率时的 Q 值:28 @ 50MHz 频率 - 自谐振:120MHz 频率 - 测试:7.9MHz 封装/外壳:1008（2520 公制）
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类型:总线 FET 交换开关 电路:5 x 2：2 电压源:单电源 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳:24-TSSOP
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二极管类型:碳化硅肖特基 电流 - 平均整流（Io）:10A（DC） 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:250μA @ 1200V 封装/外壳:TO-220-2
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频率 - 下:700MHz 插损 @ 频率:0.8dB @ 2.5GHz 工作温度:-30°C ~ 90°C 电压 - 电源:2.5 V ~ 3.3 V 封装/外壳:14-XFQFN
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连接器类型:USB - mini AB 规格:USB2.0 特性:板导轨，固定焊尾 工作温度:-20°C ~ 85°C 电压 - 额定:30VAC
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电容:10μF 电压 - 额定:10V 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:0603（1608 公制）
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电容:100μF 不同温度时的使用寿命:105°C 时为 1000 小时 纹波电流:69mA @ 120Hz 高度 - 安装（值）:0.205"（5.20mm）
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逻辑类型:移位寄存器 每元件位数:8 电压 - 电源:2 V ~ 6 V 封装/外壳:16-X1QFN（2.5x2.5）
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增益带宽积:3MHz 电流 - 输入偏置:10pA 电流 - 电源:525μA 电压 - 电源，单/双（±）:2.7 V ~ 36 V，±1.35 V ~ 18 V 封装/外壳:SOT-23-5
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电容:0.013μF 电压 - 额定:50V 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:0805（2012 公制）
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