相关证件：
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林泽祥 
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手机：15875438990
林少如
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驱动配置:低压侧 栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET 电压 - 电源:4.5 V ~ 35 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V，3V 上升/下降时间（典型值）:22ns，15ns 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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采样率（每秒）:10k 输入类型:个伪差分，单端 架构:三角积分 封装/外壳:16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
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压摆率:0.8 V/μs 电流 - 输入偏置:500pA 电流 - 电源:790μA 电流 - 输出/通道:35mA 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）
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输出类型:固定 电流 - 输出:10mA 温度系数:50ppm/°C 电压 - 输入:4.5 V ~ 33 V 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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二极管类型:超级势垒 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:550mV @ 1A 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 40V 封装/外壳:SC-76，SOD-323
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格式 - 存储器:闪存 存储器类型:DataFLASH 速度:85MHz 存储容量:32M（8192 页 x 512 字节） 封装/外壳:8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
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功能:设置（预设）和复位 频率 - 时钟:200MHz 电流 - 输出高，低:32mA，32mA 电压 - 电源:1.65 V ~ 5.5 V 封装/外壳:8-VFSOP（0.091"，2.30mm 宽）
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建立时间:7μs 参考类型:外部， 内部 电压 - 电源，模拟:2.7 V ~ 5.5 V 电压 - 电源，数字:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 105°C
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电流 - 静态（值）:2μA 电压 - 电源:2v~6v 电流 - 输出高，低:24mA，24mA 逻辑电平 - 高:2.1 V ~ 3.85 V 封装/外壳:14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
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晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（值）:200mA 电压 - 集射极击穿（值）:40v 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（值）:100 @ 10mA，1V 功率 - 值:625mW 频率 - 跃迁:300MHz
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电机类型 - 步进:双极性 电机类型 - AC，DC:有刷直流 技术:DMOS 电压 - 电源:10v~28V 封装/外壳:40-VSSOP（0.213"，5.40mm 宽）裸焊盘
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频率组:UHF（1 GHz ~ 2 GHz） 频率范围:1.573GHz ~ 1.583GHz 回波损耗:-10dB 端接:电缆（63mm） - U.FL 高度（值）:0.276"（7.00mm）
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电压 - 输出（值/固定）:2.048V 电流 - 输出:15mA 温度系数:100ppm/°C 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
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稳压器拓扑:正，固定式 电压 - 输出:1.8V 电流 - 输出:500mA 电压 - 输入:2.5 V ~ 16 V 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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