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林泽祥 
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手机：15875438990
林少如
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显示类型:LED，LCD 电压 - 电源:2v~6v 配置:7段显示 封装/外壳:16-DIP（0.300"，7.62mm）
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电流 - 电源:600μA 压摆率:0.15 V/μs 增益带宽积:500kHz 电流 - 输入偏置:750pA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
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类型:隔离模块 电流 - 输出（值:400mA 功率（W） - 制造系列:2w 封装/外壳:8-SMD 模块（5 引线） 工作温度:-40°C ~ 85°C 功率（W） - 值:2W
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类型:ADC，电量测量 数据接口:I2C， SPI 电压源:单电源 电压 - 电源:3.3V 封装/外壳:20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
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电压 - 输入（值）:21.6v 电流 - 输出（值）:66mA 电压 - 隔离:1kV（1000V） 封装/外壳 :10-SMD 模块（6 引线） 工作温度:-40°C ~ 85°C
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格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH - NOR 存储容量:64M（8M x 8） 速度:108MHz 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 封装/外壳:8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
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保险丝类型:板安装（不包括管筒式） 响应时间:快速 封装/外壳 :1206（3216 公制） 不同额定电压时的熔断能力:50A 工作温度:-55°C ~ 125°C 大小/尺寸:0.126" 长 x 0.063" 宽 x 0.022" 高（3.20mm x 1.60mm x 0.55mm）
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放大器类型:可变增益 压摆率:275 V/μs -3db 带宽:35MHz 电流 - 输入偏置:350nA 电流 - 电源:11mA 电流 - 输出/通道:50mA 封装/外壳:16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
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卡类型:智能卡 连接器类型 :连接器 插入，拆除方法:推入式，拉出式 板上高度:0.142"（3.60mm） 触头镀层:金，GXT™
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类型:MHz晶体 频率稳定度:±40ppm 频率容差:±30ppm ESR（等效串联电阻）:150 欧姆 工作温度:-30°C ~ 85°C 封装/外壳:4-SMD，无引线（DFN，LCC）
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类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电流 - 饱和值:1.05A 不同频率时的 Q 值:12 @ 2.52MHz 频率 - 自谐振:50MHz 频率 - 测试:100kHz 高度 - 安装（值）:0.079"（2.00mm）
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FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.7A（Ta） 功率 - 值:900mW 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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功能:降压 输出类型:可调式 电压 - 输入（值）:6V 电压 - 输入（值）:42V 电压 - 输出（值）:37V 频率 - 开关:100kHz ~ 1MHz 封装/外壳:14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）裸焊盘
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采样率（每秒）:66k 数据接口:SPI 配置:MUX-S/H-ADC 无线电 - S/H:ADC:1:1 架构:SAR 封装/外壳:20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
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输入阻抗:280 千欧 电压 - I/O 高:2.4v 电流 - 电源:10.6mA 电压 - 电源:2.97 V ~ 3.63 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳 :28-WFQFN 裸露焊盘，CSP
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