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林泽祥 
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手机：15875438990
林少如
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应用:变压器驱动器 电流 - 电源:1mA 电压 - 电源:2.25 V ~ 5.5 V 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-23-6
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频率:1MHz ~ 8GHz RF 类型:WiMAX / WiBro :±1dB 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳:24-VFQFN 裸露焊盘
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类型:MHz 晶体 频率稳定度:±10ppm 频率容差:±10ppm 封装/外壳:4-SMD，无引线（DFN，LCC） 大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）
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电机类型 - AC，DC:有刷直流 输出配置:半桥（2） 技术:NMOS，PMOS 电压 - 电源:10 V ~ 30 V 封装/外壳 :16-BSOP（0.252"，6.40mm 宽）+ 2 热凸片 工作温度:-30°C ~ 85°C（TA）
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FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:38A（Tc） 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）:99 毫欧 @ 12.8A，10V 功率 - 值:278W 封装/外壳:TO-220-3
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参考类型:旁路，隐埋式齐纳 电压 - 输出（值/固定）:6.9V 电流 - 输出:15mA 噪声 - 10Hz 至 10Hz:100μVrms 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
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格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:2K（256 x 8） 速度:400kHz，1MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 封装/外壳:SOT-23-5 细型，TSOT-23-5
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电压 - 隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（值）:25kV/μs 数据速率:1Mbps 脉宽失真（）:40ns 电压 - 电源:2.7 V ~ 5.5 V 封装/外壳:16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
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滤波器类型:巴特沃斯，低通开关电容器 频率 - 截止或中心:25kHz 电压 - 电源:4.75 V ~ 11 V，±2.375 V ~ 5.5 V 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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功能:电池监控器 电池化学:多化学 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 封装/外壳:20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
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处理器:ARM® Cortex®-M0+ 连接性:I2C，LIN，SPI，UART/USART RAM 容量:32K x 8 程序存储容量:256KB（256K x 8） 数据转换器:A/D 14x12b，D/A 1x10b 封装/外壳:48-VFQFN 裸露焊盘
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晶体管类型:LDMOS 频率:945MHz 电流 - 测试:100mA 电压 - 额定:65V 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
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处理器:ARM® Cortex®-M4 速度:168MHz 程序存储容量:1MB（1M x 8） RAM 容量:192K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 3.6 V 封装/外壳:144-LQFP
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放大器类型:可编程增益 输出类型:满摆幅 压摆率:16 V/μs 增益带宽积:11MHz 电压 - 输入失调:1.5mV 电流 - 输出/通道:35mA 封装/外壳:SOT-23-8 薄型，TSOT-23-8
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