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会员年限:8年
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):24A(Tc) 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1225pF @ 30V 功率 - 值:45W 封装/外壳:PowerPAK® SO-8
发布询价波长:900nm 频谱范围:430nm ~ 1100nm 响应时间:100ns 电流 - 暗(典型值):2nA 封装/外壳:4-SMD,无引线
发布询价压摆率:5500 V/μs 增益带宽积:12GHz 电压 - 输入失调:2mV 电压 - 电源,单/双(±):3 V ~ 5 V,±1.5 V ~ 2.5 V 封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘
发布询价稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:3.3v 电压 - 跌落(典型值):0.2V @ 1A 电压 - 输入:16v 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
发布询价输入数:8,15,16 数据接口:SPI,DSP 配置:MUX-PGA-ADC 电压 - 电源,模拟:±1.8V,2.7 V ~ 3.6 V 封装/外壳:32-WFQFN 裸露焊盘,CSP
发布询价FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV) 不同 Id 时的 Vgs(th)(值):2.5V @ 1mA 功率 - 值:625W 封装/外壳:TO-247-3
发布询价放大器类型:零漂移 压摆率:1 V/μs -3db 带宽:150kHz 电流 - 电源:2.5mA 电压 - 电源,单/双(±):3.3 V ~ 5.5 V
发布询价通道类型:独立式 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.3V 高压侧电压 - 值(自举:600V 上升/下降时间(典型值):85ns,35ns 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm)
发布询价频率:32.768kHz 输出:CMOS 电压 - 电源:1.5 V ~ 6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:4-SMD,无引线(DFN,LCC)
发布询价FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20.2A(Tc) 不同 Id 时的 Vgs(th)(值):3.5V @ 730μA 功率 - 值:151W 封装/外壳:TO-220-3
发布询价