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林泽祥 
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手机：15875438990
林少如
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类型:非隔离 PoL 模块 电压 - 输入（值）:5.5V 功率（W） - 制造系列:3W 特性:OCP，UVLO 封装/外壳:9-SMD 模块 工作温度:-30°C ~ 85°C
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处理器:HC08 外设:LVD，POR，PWM 程序存储容量:8KB（8K x 8） 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:4.5 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 7x10b 封装/外壳:32-LQFP
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晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（值）:500mA 电压 - 集射极击穿（值）:300V 电流 - 集电极截止（值）:250nA（ICBO） 功率 - 值:625mW 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
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功能:降压 输出配置:正 输出类型:可调式 电压 - 输入（值）:6V 封装/外壳:10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸焊盘
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FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:50A（Tc） 功率 - 值:48W 封装/外壳:PowerPAK® SO-8
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转换器类型:电压电平 电压 - VCCA:1.2 V ~ 3.6 V 输出类型:三态，非反相 数据速率:380Mbps 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 封装/外壳:48-TFSOP（0.173"，4.40mm 宽）
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触头类型:公形引脚 连接器类型:接头，无罩，可断开式 加载的针脚数:全部 触头配接长度:0.228"（5.80mm） 排距:0.100"（2.54mm）
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继电器类型:通用 线圈类型:无锁存 线圈电压:12VDC 开关电压:250VAC，30VDC - 线圈功率:200 mW 工作温度:-40°C ~ 70°C
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FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 漏源极电压（Vdss）:500v 不同 Id 时的 Vgs（th）（值）:4.5V @ 250μA 功率 - 值:960W 封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA
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稳压器拓扑:正，固定式 电压 - 输出:3.3V 电压 - 跌落（典型值）:1V @ 1A 封装/外壳:TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD
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接口:I2C，SMBus 输出类型:推挽式 电流 - 灌/拉输出:1mA，25mA 电压 - 电源:2.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳:24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
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