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林泽祥 
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手机：15875438990
林少如
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通道类型:单向 电压 - 隔离:3750Vrms 共模瞬态抗扰度（值）:25kV/μs 传播延迟 tpLH / tpHL（值）:25ns，25ns 电压 - 电源:3 V ~ 5.5 V 封装/外壳:20-SSOP（0.209"，5.30mm 宽）
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功能:主复位 输出类型:非反向 电流 - 输出高，低:24mA，24mA 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-55°C ~ 125°C（TA）
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处理器:ARM® Cortex®-M3 速度:180MHz 连接性:CAN，EBI/EMI，I2C，IrDA，Microwire，SD，SPI，SSI，SP，ART/USART，USB，SB OTG 程序存储器类型:ROMless 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:2.2 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 8x10b；D/A 1x10b 封装/外壳:144-LQFP
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电压 - 反向关态（典型值）:23.1V 电压 - 击穿（值）:25.7V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:40.5A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW） 封装/外壳DO-214AB，SMC:DO-214AB，SMC
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滤波器类型:巴特沃斯，低通开关电容器 频率 - 截止或中心:50kHz 滤波器阶数:5th 电压 - 电源:±2.37 V ~ 8 V 封装/外壳:16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
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建立时间:800ns 输出类型:Current - Unbuffered 电压 - 电源，模拟:5 V ~ 15 V 封装/外壳:16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
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驱动配置:高压侧或低压侧 栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET 电压 - 电源:4.5 V ~ 30 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，1.5A 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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类型:多压监控器 输出:开路漏极或开路集电极 电压 - 阈值:可调节/可选择 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
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电阻（欧姆）:1.69 功率（W）:2w 特性:汽车级 AEC-Q200 温度系数:±100ppm/°C 封装/外壳:宽 2512（6432 公制），1225
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频率:32.768kHz 输出:LVCMOS 电压 - 电源:1.5 V ~ 3.63 V 频率稳定度:±100ppm 封装/外壳:4-SMD，无引线（DFN，LCC）
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接口:主机接口，McBSP 时钟速率:100MHz 非易失性存储器:ROM（8 kB） 电压 - 内核:1.80V 封装/外壳:144-LFBGA
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格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH - NOR 存储容量:1G（128M x 8） 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 封装/外壳:24-TBGA
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开关类型:通用 比率 - 输入:输出:1：1 电压 - 负载:1.6 V ~ 5.5 V 导通电阻（典型值）:40 毫欧 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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LAB/CLB 数:858 逻辑元件/单元数:6864 总 RAM 位数:245760 电压 - 电源:2.375 V ~ 3.465 V 封装/外壳:256-LFBGA
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