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会员年限:10年
晶体管类型:LDMOS 频率:945MHz 电流 - 测试:100mA 电压 - 额定:65V 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
发布询价处理器:ARM® Cortex®-M4 速度:168MHz 程序存储容量:1MB(1M x 8) RAM 容量:192K x 8 电压 - 电源(Vcc/Vdd):1.8 V ~ 3.6 V 封装/外壳:144-LQFP
发布询价放大器类型:可编程增益 输出类型:满摆幅 压摆率:16 V/μs 增益带宽积:11MHz 电压 - 输入失调:1.5mV 电流 - 输出/通道:35mA 封装/外壳:SOT-23-8 薄型,TSOT-23-8
发布询价应用:DDR端接器 电压 - 电源:2.2 V ~ 5.5 V 电流 - 电源:320μA 封装/外壳:8-PowerSOIC(0.154",3.90mm 宽)
发布询价继电器类型:通用 线圈电流:12.5mA 线圈电压:24VDC 导通电压(值):16.8 VDC 工作时间:30ms 线圈功率:300 mW
发布询价尺寸:16位 连接性:I2C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART 程序存储容量:64KB(22K x 24) 电压 - 电源(Vcc/Vdd):2 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 16x10b/12b 封装/外壳:封装/外壳
发布询价放大器类型:零漂移 输出类型:满摆幅 增益带宽积:2.7MHz 电流 - 输入偏置:50pA 电流 - 电源:830μA 电流 - 输出/通道:32mA 电压 - 电源,单/双(±):4.5 V ~ 55 V,±2.25 V ~ 27.5 V
发布询价类型:收发器 驱动器/接收器数:1/1 接收器滞后:140mV 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
发布询价类型:kHz 晶体(音叉) 频率容差:±20ppm ESR(等效串联电阻):65 千欧 封装/外壳:4-SMD,扁平引线 大小/尺寸:0.276" 长 x 0.060" 宽(7.00mm x 1.50mm)
发布询价材料 - 磁芯:铁氧体 额定电流:3.7A DC 电阻(DCR):39.6毫欧 频率 - 测试:100khZ 高度 - 安装(值):0.236"(6.00mm)
发布询价放大器类型:通用 压摆率:0.6 V/μs 增益带宽积:1MHz 电压 - 输入失调:4.5mV 电流 - 电源 :100μA 电压 - 电源,单/双(±):1.8 V ~ 6 V 封装/外壳:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
发布询价协议:RS422,RS485 接收器滞后:25mV 数据速率:250kbps 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 工作温度:-40°C ~ 85°C
发布询价配置:电位计 电阻(欧姆)100k:100k 电压 - 电源:2.3 V ~ 5.5 V,±2.25 V ~ 2.75 V 温度系数(典型值):35 ppm/°C 封装/外壳:20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 工作温度:-40°C ~ 125°C
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