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会员年限:10年
晶体管类型:NPN - 达林顿 电压 - 集射极击穿(值):350V 电流 - 集电极截止(值):100μA 功率 - 值:150W 频率 - 跃迁:2MHz 封装/外壳:TO-218-3 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ)
发布询价稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 跌落(典型值):0.2V @ 100mA 电压 - 输入: 10V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:SC-74A,SOT-753
发布询价电压 - 输入(值):2.5V 电压 - 输出(值/固定):0.75V 电压 - 输出(值):6V 频率 - 开关:2.25MHz
发布询价技术:霍尔效应 感应范围:±4.9mT 电流 - 电源(值):10mA 电压 - 电源:2.4 V ~ 3.6 V 工作温度:-30°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-WFQFN 裸露焊盘
发布询价电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 电流 - 输出高,低:24mA,24mA 逻辑电平 - 高:2V 供应商器件封装:14-SOIC
发布询价驱动配置:低压侧 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:4.5 V ~ 18 V 逻辑电压 - VIL,VIH:1V,2.4V 上升/下降时间(典型值):8ns,7ns 封装/外壳:SOT-23-6
发布询价额定电压:6.3V ESR(等效串联电阻):10 毫欧 不同温度时的使用寿命:105°C 时为 1000 小时 高度 - 安装(值):0.122"(3.10mm) 封装/外壳:2917(7343 公制)
发布询价FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 漏源极电压(Vdss):100v 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Ta),43A(Tc) 功率 - 值:2.8w 不同 Id 时的 Vgs(th)(值:4V @ 250μA 封装/外壳:8-PowerWDFN
发布询价压摆率:0.4 V/μs 增益带宽积:1.3MHz 电流 - 输入偏置:20nA 电流 - 输出/通道:70mA 封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘
发布询价功能:控制器 电压 - 电源:3.3v,5v 电流 - 电源:3.9mA 封装/外壳:28-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
发布询价协议:RS422,RS485 接收器滞后:35mV 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-SOIC(0.209",5.30mm 宽)
发布询价协议:RS422,RS485 接收器滞后:15mV 数据速率:500kbps 电压 - 电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C
发布询价ESR(等效串联电阻):80 毫欧 @ 100kHz 纹波电流:552.5mA @ 120Hz 大小/尺寸:0.394" 直径(10.00mm) 高度 - 安装(值):0.413"(10.50mm) 表面贴装焊盘尺寸:0.406" 长 x 0.406" 宽(10.30mm x 10.30mm) 封装/外壳:径向,Can - SMD
发布询价驱动配置:低压侧 栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET 电压 - 电源:4.5 V ~ 18 V 逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.4V 上升/下降时间(典型值):38ns,33ns 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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