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林泽祥 
电话：0755-82522624
手机：15875438990
林少如
电话：0755-89698136
手机：13603052721
技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.5A（Ta） Vgs（值）:12V 供应商器件封装:3-PICOSTAR
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滤波器阶数:3rd 中心/截止频率:50MHz（截止值） 50MHz（截止值）:200mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:0805（2012 公制），3 PC 板
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频率范围:50kHz ~ 500kHz 额定电流:34A 电流比:200:200:1 大小/尺寸:0.810" 长 x 0.580" 宽（20.57mm x 14.73mm）
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电压 - 值:24V 电流 - 值:100A 电流 - 跳闸（It）:5.2A 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:2920（7351 公制）
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输出类型:晶体管驱动器 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:4.5v~24v 同步整流器:是 串行接口:I2C，PMBus 封装/外壳:32-WFQFN 裸露焊盘
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压摆率:0.4 V/μs 电流 - 输入偏置:15nA 电流 - 电源:350μA 电压 - 电源，单/双（±）:4 V ~ 44 V，±2 V ~ 22 V 封装/外壳:8-SOIC
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处理器:ARM® Cortex®-M3 速度:120MHz 程序存储容量:512KB（512K x 8） RAM 容量:96K x 8 封装/外壳:208-TFBGA
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输出类型:晶体管驱动器 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:2.97 V ~ 40 V 频率 - 开关:100kHz ~ 1MHz 封装/外壳:0-TFSOP
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漏源极电压（Vdss）:30V 不同 Id 时的 Vgs（th）（值）:3V @ 250μA Vgs（值）:±25V 功率耗散（值）:940mW（Ta） 封装/外壳:8-PowerWDFN
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类型:转向装置（轨至轨） 电压 - 击穿（值）:6.9V 功率 - 峰值脉冲:63W 不同频率时的电容:0.8pF @ 1MHz 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘
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材料 - 磁芯:空气 额定电流:330mA 不同频率时的 Q 值:28 @ 50MHz 频率 - 自谐振:120MHz 频率 - 测试:7.9MHz 封装/外壳:1008（2520 公制）
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类型:总线 FET 交换开关 电路:5 x 2：2 电压源:单电源 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳:24-TSSOP
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二极管类型:碳化硅肖特基 电流 - 平均整流（Io）:10A（DC） 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:250μA @ 1200V 封装/外壳:TO-220-2
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频率 - 下:700MHz 插损 @ 频率:0.8dB @ 2.5GHz 工作温度:-30°C ~ 90°C 电压 - 电源:2.5 V ~ 3.3 V 封装/外壳:14-XFQFN
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